半導(dǎo)體高溫試驗(yàn)設(shè)備的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

編輯：廣東星拓環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備科技有限公司 2020-10-18　

半導(dǎo)體需要做哪些高溫試驗(yàn)？

半導(dǎo)體器件工作在大電流和高電壓的條件下，工作過(guò)程中功率的耗散會(huì)引起器件溫度的升高，因此器件在特定溫度下各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)達(dá)標(biāo)是器件正常工作最基本的保障。對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行高溫測(cè)試是檢測(cè)器件在特定溫度下各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)是否達(dá)標(biāo)的必要手段，高溫測(cè)試包括；飽和導(dǎo)通壓降測(cè)試、耐壓測(cè)試、短路耐量等靜態(tài)測(cè)試，開(kāi)啟時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等的動(dòng)態(tài)測(cè)試。

半導(dǎo)體試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)際電工委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60749-6-2017 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存

IEC 60749-6-2017 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存

IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存

IEC 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存

韓國(guó)標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)

KS C IEC 60749-6-2004 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存

德國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)

DIN EN 60749-6-2003 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫儲(chǔ)存

法國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)

NF C96-022-6-2002 半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存

英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)

BS EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.高溫下儲(chǔ)存

歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)

EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002

半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍很廣，需要面臨的環(huán)境考驗(yàn)也就越多，所以環(huán)境耐氣候試驗(yàn)必不可少。